Intel y Micron amplían el liderazgo tecnológico en flash NAND y lanzan el proceso de 20 nanómetros más pequeño y más avanzado de la industria El nuevo dispositivo de 8 gigabytes, en 20 nm, logra la capacidad más elevada en el formato más pequeño para tablets, teléfonos inteligentes, SSDs y otros dispositivos de consumo y de cómputo

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  • Intel y Micron ofrecen el proceso tecnológico flash NAND de 20 nm más pequeño y más avanzado de la industria.
  • IM Flash Technologies lidera la industria con el proceso de 20 nm y transiciones rápidas de la toda red de fabricantes.
  • El dispositivo MLC NAND de 8 GB mide tan sólo 118 mm2 y proporciona una alta capacidad para teléfonos inteligentes, tablets, SSDs y más.

Santa Clara, California, y Boise, Idaho, 15 de abril de 2011 – Corporación Intel y Micron Technology Inc. lanzaron hoy una nueva tecnología de proceso de 20 nanómetros (nm), para la fabricación de memoria flash NAND. El proceso de 20 nm produce un dispositivo flash NAND de célula multinivel (MLC, del inglés "multi-level cell"), que ofrece una opción de almacenamiento para guardar música, video, libros y otros datos en teléfonos inteligentes, tablets y soluciones de cómputo como unidades de estado sólido (SSDs, del inglés "Solid-State Drives").

El crecimiento en el almacenamiento de datos, combinado con mejoras en las características de los tablets y de los teléfonos inteligentes, está creando nuevas demandas para la tecnología flash NAND, especialmente una mayor capacidad en diseños más pequeños. El nuevo dispositivo de 8 GB en 20 nm mide sólo 118 mm2 y permite una reducción de un 30 a un 40 por ciento en el espacio de la placa base (dependiendo del tipo de paquete) en comparación con el dispositivo NAND anterior de la compañía, de 8 GB, en 25 nm. Una reducción en el diseño de almacenamiento flash proporciona una mayor eficiencia a nivel de sistema, ya que les permite a los fabricantes de tablets y teléfonos inteligentes utilizar el espacio adicional para mejoras en el producto final, como una batería más grande, una pantalla más amplia o la adición de otro chip para manejar nuevas características.

Fabricado conjuntamente por IM Flash Technologies Información en inglés (IMFT, proyecto de riesgo compartido en memoria flash NAND de Intel y Micron), el nuevo dispositivo de 8 GB en 20 nm es un gran avance en diseño de tecnología y proceso NAND, que amplía aún más el liderazgo de la empresa en litografía. La disminución de la litografía NAND a este nodo de tecnología es el método más rentable para aumentar la producción de las fábricas, ya que proporciona una capacidad en gigabytes aproximadamente un 50 por ciento mayor, en comparación con la tecnología actual. El nuevo proceso de 20 nm mantiene un desempeño y una resistencia similares a la anterior generación de tecnología NAND de 25 nm.

"La estrecha colaboración con los clientes es uno de los valores fundamentales de Micron y, a través de estos esfuerzos, estamos descubriendo constantemente muy buenas oportunidades de diseño del producto final para el almacenamiento flash NAND", dijo Glen Hawk, vicepresidente del NAND Solutions Group de Micron. "Nuestras oportunidades de innovar y crecer continúan con el proceso NAND de 20 nm, que le permite a Micron entregar soluciones de almacenamiento de estado sólido, rentables y con valor añadido, a nuestros clientes".

"Nuestro objetivo es permitir un acceso inmediato y asequible a la información del mundo", dijo Tom Rampone, vicepresidente y gerente general del Intel Non-Volatile Memory Solutions Group. "El liderazgo industrial en NAND le permite a Intel proporcionar la más alta calidad y las soluciones más rentables para nuestros clientes, generación tras generación. El proyecto de riesgo compartido Intel-Micron es un modelo para la industria manufacturera, pues seguimos liderando la industria en tecnología de proceso y hacemos transiciones rápidas de nuestra red completa de fábricas a litografías más y más pequeñas".

El dispositivo de 8 GB en 20 nm es una muestra; se espera que entre en producción en masa en la segunda mitad de 2011. En ese momento Intel y Micron también esperan dar a conocer las muestras de un dispositivo de 16 GB, creando hasta 128 GBs de capacidad en una única solución de almacenamiento de estado sólido que es más pequeña que un sello de correos de EE.UU..

Para obtener más información, fotos, videos y puntos de referencia visite www.intel.com/newsroom/atom Información en inglés.

Acerca de Micron

Micron Technology, Inc. es uno de los principales proveedores mundiales de soluciones avanzadas de semiconductores. A través de sus operaciones en todo el mundo, Micron fabrica y comercializa una gama completa de memorias DRAM, NAND y flash NOR, así como otras tecnologías de memoria, soluciones de embalaje y sistemas de semiconductores innovadores para su uso en productos de cómputo de punta, de consumo, redes, integrados y productos móviles . Las acciones ordinarias de Micron se cotizan en la NASDAQ bajo el símbolo MU. Para obtener más información acerca de Micron Technology Inc., visite www.micron.com Información en inglés.

Acerca de Intel

Intel (NASDAQ: INTC), el líder mundial en innovaciones de silicio, desarrolla tecnologías, productos e iniciativas para mejorar continuamente la forma de vivir y trabajar de la gente. Más información acerca de Intel está disponible en www.intel.com/espanol/pressroom y en The Intel Scope.

Intel y el logo de Intel son marcas de comercio de Corporación Intel en los Estados Unidos y en otros países.

* Otros nombres y marcas pueden ser propiedad de otros.

© 2011 Micron Technology, Inc. e Intel Corporation. Todos los derechos reservados. La información está sujeta a cambios sin previo aviso.

Micron y el logotipo de Micron son marcas comerciales de Micron Technology, Inc.

Este comunicado de prensa contiene declaraciones prospectivas sobre la producción del dispositivo NAND de 8 GB y 16 GB en de 20 nm. Los eventos o resultados reales pueden diferir materialmente de aquellos contenidos en las declaraciones prospectivas. Por favor, consulte los documentos de los archivos de Micron en base consolidada registrados periódicamente en la Securities and Exchange Commission, específicamente en los formularios más recientes archivados por Micron: el Formulario 10-K y el Formulario 10-Q. Estos documentos contienen e identifican factores importantes que podrían causar que los resultados de Micron sobre una base consolidada difieran materialmente de aquellos contenidos en nuestras declaraciones prospectivas (vea Ciertos Factores). Aunque creemos que las expectativas reflejadas en las declaraciones prospectivas son razonables, no podemos garantizar resultados futuros, niveles de actividad, desempeño o logros.